Опубликовано 10 сентября, 202310 сентября, 2023 Биполярный NPN транзистор.Применяется в выходном каскаде строчной развёртки цветных телевизоров.Отличительной чертой транзистора […] Открыть Datasheet 2SD1880 (NPN с диодом и резистором, 800V, 8A) Datasheet 2SD1880 (NPN с диодом и резистором, 800V, 8A)
Опубликовано 26 апреля, 202321 мая, 2023 N-канальный полевой транзистор MOSFET Основные параметры MMF60R580P: Тип проводимости: N-канал Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet MMF60R580P (N-канал, 600V, 8A) Datasheet MMF60R580P (N-канал, 600V, 8A)
Опубликовано 26 апреля, 202326 апреля, 2023 N-канальный полевой транзистор MOSFET Основные параметры FQP8N60C / FQPF8N60C: Тип проводимости: N-канал: […] Открыть Datasheet FQP8N60C/FQPF8N60C (N-канал, 600V, 7.5A) Datasheet FQP8N60C/FQPF8N60C (N-канал, 600V, 7.5A)
Опубликовано 30 апреля, 202230 апреля, 2022 Биполярный NPN транзистор общего назначения 2SC4672 Комплиментарная пара – 2SA1797 Основные параметры: […] Открыть Datasheet 2SC4672 (NPN, 50V, 2A) Datasheet 2SC4672 (NPN, 50V, 2A)
Опубликовано 29 апреля, 202230 апреля, 2022 Биполярный PNP транзистор общего назначения 2SA1797 Комплиментарная пара – 2SC4672 Основные параметры: […] Открыть Datasheet 2SA1797 (PNP, 50V, 2A) Datasheet 2SA1797 (PNP, 50V, 2A)
Опубликовано 24 августа, 202124 августа, 2021 Кремниевый PNP транзистор.Маркировка на корпусе – S8550 Основные параметры STS8550 Структура: PNP […] Открыть Datasheet STS8550 (PNP, 25V, 800mA) Datasheet STS8550 (PNP, 25V, 800mA)
Опубликовано 22 августа, 202122 августа, 2021 Малосигнальный эпитаксиально планарный биполярный NPN транзистор.Комплиментарная пара – MMBT2907A Маркировка на корпусе […] Открыть Datasheet SMBT2222A, MMBT2222A (NPN, 40V, 600mA) Datasheet SMBT2222A, MMBT2222A (NPN, 40V, 600mA)
Опубликовано 9 августа, 202122 августа, 2021 Малосигнальный эпитаксиально планарный биполярный PNP транзистор.Комплиментарная пара – MMBT2222A Маркировка на корпусе – […] Открыть Datasheet MMBT2907A (PNP, 60V, 600mA) Datasheet MMBT2907A (PNP, 60V, 600mA)
Опубликовано 19 января, 202019 января, 2020 PNP составной биполярный транзистор Дарлингтона.Комплиментарная пара – BSR52 Основные параметры BSR62: Структура: PNP […] Открыть Datasheet BSR62 (составной, PNP, 80V, 1A) Datasheet BSR62 (составной, PNP, 80V, 1A)
Опубликовано 19 января, 202019 января, 2020 NPN составной биполярный транзистор Дарлингтона.Комплиментарная пара – BSR62 Основные параметры BSR52: Структура: NPN […] Открыть Datasheet BSR52 (составной, NPN, 80V, 1A) Datasheet BSR52 (составной, NPN, 80V, 1A)
Опубликовано 12 января, 202012 января, 2020 Высоковольтный PNP транзистор BF423, предназначен для использования в выходных каскадах видеосигнала цветного […] Открыть Datasheet BF423 (PNP, 250V, 0.1A) Datasheet BF423 (PNP, 250V, 0.1A)
Опубликовано 12 января, 202012 января, 2020 Высоковольтный PNP транзистор BF421, предназначен для использования в выходных каскадах видеосигнала цветного […] Открыть Datasheet BF421 (PNP, 300V, 0.1A) Datasheet BF421 (PNP, 300V, 0.1A)
Опубликовано 12 января, 202012 января, 2020 Высоковольтный NPN транзистор BF422, предназначен для использования в выходных каскадах видеосигнала цветного […] Открыть Datasheet BF422 (NPN, 250V, 0.1A) Datasheet BF422 (NPN, 250V, 0.1A)
Опубликовано 12 января, 202012 января, 2020 Высоковольтный NPN транзистор BF420, предназначен для использования в выходных каскадах видеосигнала цветного […] Открыть Datasheet BF420 (NPN, 300V, 0.1A) Datasheet BF420 (NPN, 300V, 0.1A)
Опубликовано 4 января, 20204 января, 2020 Сдвоенная сборка полевых транзисторов MOSFET N-канал. . Основные параметры BF8205T: 1 транзистор […] Открыть Datasheet BF8205T (N: 20V, 5A | N: 20V, 5A ) Datasheet BF8205T (N: 20V, 5A | N: 20V, 5A )
Опубликовано 7 декабря, 20197 декабря, 2019 P-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры APM9435: Тип проводимости: P-канал: Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet APM9435 (P-канал, 30V, 4.6A) Datasheet APM9435 (P-канал, 30V, 4.6A)
Опубликовано 7 декабря, 20197 декабря, 2019 Сдвоенная сборка полевых транзисторов MOSFET N-канал. . Основные параметры AP9962M: N-канал: Максимальное […] Открыть Datasheet AP9962M (N: 40V, 7A | N: 40V, 7A ) Datasheet AP9962M (N: 40V, 7A | N: 40V, 7A )
Опубликовано 7 декабря, 20197 декабря, 2019 N-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры AP9402GYT-HF-3: Тип проводимости: N-канал: Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet AP9402GYT-HF-3 (N-канал, 30V, 11.5A) Datasheet AP9402GYT-HF-3 (N-канал, 30V, 11.5A)
Опубликовано 4 декабря, 20194 декабря, 2019 N-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры AP15N03J: Тип проводимости: N-канал: Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet AP15N03J (N-канал, 30V, 15A) Datasheet AP15N03J (N-канал, 30V, 15A)
Опубликовано 4 декабря, 20194 декабря, 2019 N-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры AP15N03H: Тип проводимости: N-канал: Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet AP15N03H (N-канал, 30V, 15A) Datasheet AP15N03H (N-канал, 30V, 15A)
Опубликовано 4 декабря, 20194 декабря, 2019 N-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры AON7702: Тип проводимости: N-канал: Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet AON7702 (N-канал, 30V, 40A) Datasheet AON7702 (N-канал, 30V, 40A)
Опубликовано 3 декабря, 20193 декабря, 2019 N-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры AON7408: Тип проводимости: N-канал: Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet AON7408 (N-канал, 30V, 18A) Datasheet AON7408 (N-канал, 30V, 18A)
Опубликовано 2 декабря, 20193 декабря, 2019 N-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры AO4407A: Тип проводимости: N-канал: Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet AON7200 (N-канал, 30V, 40A) Datasheet AON7200 (N-канал, 30V, 40A)
Опубликовано 2 декабря, 20197 декабря, 2019 Сдвоенная сборка полевых транзисторов MOSFET P-канал. . Основные параметры AO4807: P-канал: Максимальное […] Открыть Datasheet AO4807 (P: -30V, -6A | P: -30V, -6A ) Datasheet AO4807 (P: -30V, -6A | P: -30V, -6A )
Опубликовано 1 декабря, 20191 декабря, 2019 Сдвоенная сборка полевых транзисторов MOSFET P/N-канал. . Основные параметры AO4620: P-канал:Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet AO4620 (P: -30V, -5.3A | N: 30V, 7.2A ) Datasheet AO4620 (P: -30V, -5.3A | N: 30V, 7.2A )
Опубликовано 1 декабря, 20191 декабря, 2019 P-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры AO4407A: Тип проводимости: P-канал: Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet AO4407A (P-канал, 30V, 12A) Datasheet AO4407A (P-канал, 30V, 12A)
Опубликовано 9 ноября, 20191 декабря, 2019 Кремниевый N-канальный полевой транзистор MOSFET. Основные параметры 2SK4111: Тип проводимости: N-канал:Максимальное напряжение […] Открыть Datasheet 2SK4111 (N-канал, 600V, 10A) Datasheet 2SK4111 (N-канал, 600V, 10A)
Опубликовано 9 ноября, 20199 ноября, 2019 Кремниевый биполярный NPN транзистор.Применяется в выходном каскаде строчной развёртки цветных телевизоров.Отличительной чертой […] Открыть Datasheet 2SD2539 (NPN с диодом и резистором, 600V, 7A) Datasheet 2SD2539 (NPN с диодом и резистором, 600V, 7A)
Опубликовано 8 ноября, 20198 ноября, 2019 Биполярный NPN транзистор общего назначения 2PD601A. Основные параметры: Структура: NPN Максимально допустимый постоянный […] Открыть Datasheet 2PD601A (NPN, 50V, 100mA) Datasheet 2PD601A (NPN, 50V, 100mA)
Опубликовано 21 июня, 201921 июня, 2019 PNP составной биполярный транзистор Дарлингтона.Комплиментарная пара – BD681 Основные параметры BD682 Структура: […] Открыть Datasheet BD682 (составной, PNP, 100V, 4A) Datasheet BD682 (составной, PNP, 100V, 4A)